အလွန်ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ကိုယ်တိုင်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသော D2PAK (TO-263) SiC Diode

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ထုပ်ပိုးမှုဖွဲ့စည်းပုံ- D2PAK (TO-263)

နိဒါန်း- YUNYI D2PAK (TO-263) SiC Diode သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများနှင့် ပြုလုပ်ထားသည့် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆကို ထိထိရောက်ရောက် မြှင့်တင်ပေးနိုင်သည့် မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းရှိသည်။ SiC diodes ၏ high breakdown field strength သည် ခံနိုင်ရည်ရှိသော voltage ကိုတိုးစေပြီး အရွယ်အစားကို လျှော့ချပေးကာ မြင့်မားသော electronic breakdown field strength သည် semiconductor power devices များ၏ breakdown voltage ကို တိုးစေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ အီလက်ထရွန်ပြိုကွဲမှုနယ်ပယ်အား တိုးမြင့်လာခြင်းကြောင့်၊ အညစ်အကြေး ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှု သိပ်သည်းဆတိုးလာသောအခါတွင် SiC diode ပါဝါကိရိယာ၏ လှိုင်းပျံဒေသ၏ ဘရော့ဘန်းကို လျှော့ချနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် ပါဝါကိရိယာ၏ အရွယ်အစား၊ လျှော့ချနိုင်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

တုံ့ပြန်မှုကို စောင့်ကြည့်နေချိန်

အတိုင်းအတာ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

YUNYI ၏ D2PAK (TO-263) SiC Diode ၏ အားသာချက်များ

1. Low inductance

2. အဆင့်မြင့်မားသော အရည်အသွေးဖြင့် ယှဉ်ပြိုင်မှုကုန်ကျစရိတ်။

3. တိုတောင်းသောအချိန်နှင့်အတူမြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှု။

4. သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ ဆားကစ်ဘုတ်နေရာအား အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ကူညီပေးသည်။

Chip ထုတ်လုပ်မှု အဆင့်များ

1. စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပုံနှိပ်ခြင်း (အလွန်တိကျသော အလိုအလျောက် wafer ပုံနှိပ်ခြင်း)

2. အလိုအလျောက် ပထမဆုံး ထွင်းထုခြင်း (အလိုအလျောက် ထွင်းထုခြင်း စက်၊ CPK> 1.67)

3. အလိုအလျောက်ဝင်ရိုးစွန်းစမ်းသပ်မှု (တိကျသော Polarity Test)

4. အလိုအလျောက် စည်းဝေးပွဲ (ကိုယ်တိုင် တီထွင်ထားသော အလိုအလျောက် တိကျသော စည်းဝေးပွဲ)

5. ဂဟေဆော်ခြင်း (နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင် ရောစပ်ထားသော ဖုန်စုပ်စက်ဖြင့် ကာကွယ်ခြင်း)

6. အလိုအလျောက် ဒုတိယအကြိမ် ထွင်းထုခြင်း (အလွန်သန့်စင်သော ရေဖြင့် အလိုအလျောက် ဒုတိယအကြိမ် ထွင်းခြင်း)

7. အလိုအလျောက် ကော်ကပ်ခြင်း (Uniform Gluing & Precise Calculation ကို Automatic Precise Gluing Equipment မှ သဘောပေါက်သည်)

8. အလိုအလျောက် အပူအအေးစမ်းသပ်ခြင်း (အပူပေးစက်ဖြင့် အလိုအလျောက်ရွေးချယ်ခြင်း)

9. အလိုအလျောက်စမ်းသပ်မှု (ဘက်စုံသုံးစမ်းသပ်သူ)

ထုတ်ကုန်များ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

အပိုင်းနံပါတ်	အထုပ်	VRWM V	IO A	IFZM A	IR µa	V_F V
ZICRB5650	D2PAK	၆၅၀	5	60	60	2
ZICRB6650	D2PAK	၆၅၀	6	60	50	2
Z3D06065G	D2PAK	၆၅၀	6	70	3 (0.03 ပုံမှန်)	1.7 (ပုံမှန် 1.5)
ZICRB10650CT	D2PAK	၆၅၀	10	60	60	၁.၇
ZICRB10650	D2PAK	၆၅၀	10	၁၁၀	၁၀၀	၁.၇
Z3D10065G	D2PAK	၆၅၀	10	၁၁၅	၄၀ (၀.၇ ပုံမှန်)	1.7 (1.45 ပုံမှန်)
ZICRB20650A	D2PAK	၆၅၀	20	70	၁၀၀	၁.၇
ZICRB101200	D2PAK	၁၂၀၀	10	၁၁၀	၁၀၀	၁.၈
ZICRB12600	D2PAK	၆၀၀	12	50	၁၅၀	၁.၇
ZICRB12650	D2PAK	၆၅၀	12	50	၁၅၀	၁.၇
Z3D30065G	D2PAK	၆၅၀	30	၂၅၅	140 (ပုံမှန် 4 မျိုး)	1.7 (1.4 ပုံမှန်)
Z4D05120G	D2PAK	၁၂၀၀	5	19	200 (ပုံမှန် 20)	1.8 (1.65 ပုံမှန်)
Z4D20120G	D2PAK	၁၂၀၀	20	၁၆၂	200 (35 ပုံမှန်)	1.8 (ပုံမှန် 1.5)
Z3D20065G	D2PAK	၆၅၀	20	၁၇၀	50 (1.5 ပုံမှန်)	1.7 (1.45 ပုံမှန်)
Z3D06065L	DFN8×8	650.0	၆.၀	70.0	3 (0.03 ပုံမှန်)	1.7 (ပုံမှန် 1.5)