အလွန်တည်ငြိမ်သော Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
DO-218AB SM8S ၏ အားသာချက်များ
1. Chemical Etching Method ၏နည်းပညာကြောင့်၊ တိုက်ရိုက်ဖြတ်တောက်ခြင်းနည်းလမ်းများ၏ အနုတ်လက္ခဏာရလဒ်များကို ဖယ်ရှားပစ်ပါသည်။
2. အမျိုးအစားများထက် ပိုကြီးသော ချစ်ပ်များကြောင့် ပြောင်းပြန်လှိုင်းများအတွင်း အားကောင်းသည်။
3. မတူညီသောရာသီဥတုနှင့် နေရာဒေသများတွင် အလွန်နိမ့်ကျမှုနှုန်း
4. AEC-Q101 စံနှုန်းဖြင့် အတည်ပြုထားသည်။
5. Diode ၏လုပ်ဆောင်ချက်များကို PN လမ်းဆုံရှိ သိပ္ပံနည်းကျကာကွယ်မှုမှ အကျိုးကျေးဇူးရရှိစေပါသည်။
မူလလက္ခဏာများ-
VBR: 11.1 V မှ 52.8 V
VWM: 10 V မှ 43 V အထိ
PPPM (10 x 1000 μs): 6600 W
PPPM (10 x 10 000 μs): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ အမြင့်ဆုံး: 175°C
ကွဲပြားမှု- Uni-directional
အထုပ်- DO-218AB
Chip ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ထုံးလုပ်နည်းများ
1. အလိုအလျောက်ပုံနှိပ်ခြင်း။(အလွန်တိကျသော အလိုအလျောက် wafer ပုံနှိပ်ခြင်း)
2. အလိုအလျောက် ပထမဦးစွာ ထွင်းထုခြင်း။(အလိုအလျောက် ခြစ်စက်၊ CPK>1.67)
3. အလိုအလျောက်ဝင်ရိုးစွန်းစမ်းသပ်မှု (တိကျသော Polarity Test)
4. အလိုအလျောက် စည်းဝေးပွဲ (ကိုယ်တိုင် ဖန်တီးထားသော အလိုအလျောက် တိကျသော စည်းဝေးပွဲ)
5. ဂဟေဆော်ခြင်း (နိုက်ထရိုဂျင်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင် ရောစပ်မှုဖြင့် ကာကွယ်မှု
ဖုန်စုပ်စက်)
6. အလိုအလျောက် ဒုတိယအကြိမ် ထွင်းဖောက်ခြင်း (အလွန်သန့်စင်သော ရေဖြင့် အလိုအလျောက် ဒုတိယအကြိမ် ထွင်းခြင်း)
7. အလိုအလျောက် ကော်ကပ်ခြင်း (Uniform Gluing & Precise Calculation ကို Automatic Precise Gluing Equipment မှ သဘောပေါက်သည်)
8. အလိုအလျောက် အပူပေးစမ်းသပ်ခြင်း (အပူဓာတ်စမ်းသပ်သူမှ အလိုအလျောက်ရွေးချယ်ခြင်း)
9. အလိုအလျောက် စမ်းသပ်ခြင်း (ဘက်စုံသုံး စမ်းသပ်သူ)
